Методы рентгеноструктурного анализа (1984)

Лабораторной оборудование, при помощи которого В.К. Рентген открыл новое излучение в 1895 году.

Портрет Рентгена.

Проведение опытов с х-лучами.

Рентгеновский снимок кисти человека.

Портрет физика Макса фон Лауэ, исследовавшего пучок х-лучей.

Демонстрация опыта Лауэ, с облучением кристалла медного купороса.

Демонстрация попытки получения дифракционной картины отклонения лучей.

Помещение фотопластинок в вероятных направлениях отклонения луча.

Портрет фон Лауэ.

Образование дифракционной картины на фотопластинке, расположенной за кристаллом.

Схема волновой природы рентгеновского излучения, установленная с помощью опыта Лауэ.

Схема периодического трехмерного расположения атомов кристаллов, служащих дифракционной решеткой рентгеновских лучей.

Схема опыта Лауэ.

Портрет Лауэ.

Схема дифракции рентгеновских лучей (мультипликация).

Горные пейзажи.

Виды природных и искусственных кристаллов, структура кристалла под микроскопом.

Вид исландского шпата.

Вид кристаллической структуры (мультипликация).

Кристаллические структуры алмаза и графита, состоящие из одних и тех же атомов углерода.

Процесс выращивания искусственных кристаллов с заранее заданными свойствами в лабораторных условиях.

Образование агрегата, состоящего из зерен неправильной формы - поликристаллического материала.

Процесс образования поликристаллической структуры.

Исследование внешней формы кристаллов под микроскопом.

Исследование кристаллов с помощью излучений, длина волны которых сопоставима с периодом кристаллической решетки.

Взаимодействие рентгеновских лучей с кристаллом под микроскопом.

Модель и схема кристаллической решетки (мультипликация).

Схема возникновения разности хода отраженных лучей и интерференции волн (мультипликация), вывод формулы Вульфа-Брэгга.

Вид одного из монокристаллов.

Процесс образования поликристалла.

Вид поверхности кристалла.

Схема расположения главных кристаллографических направлений - анизотропии монокристалла (мультипликация).

Процесс ориентировки монокристалла в рентгеновской камере относительно первичного пучка, установка кассеты с пленкой для прямой съемки.

Схема получения лауэграммы при исследовании монокристаллов (мультипликация).

Схема отражения рентгеновских лучей в кристаллах (мультипликация).

Макет кристаллической решетки.

Схема измерения отражения рентгеновского луча от атомной плоскости (мультипликация).

Процесс съемки непрозрачного кристалла по обратной схеме, с расположением кассеты с пленкой перед кристаллом.

Получение рентгенограммы по схеме обратной съемки, называемой эпиграммой (мультипликация).

Схема определения угла отражения рентгеновского луча от атомной плоскости при обратной съемке (мультипликация).

Расположение рефлексов на рентгенограмме.

Схема расположения рентгеновских лучей и установки кассеты с пленкой перпендикулярно первичному пучку (мультипликация).

Модель структурной решетки кристалла.

Снимок расположения рефлексов лауэграммы с расположением кристаллов вдоль первичного пучка.

Процесс резки кристалла с помощью специального оборудования.

Схема получения лауэграммы с высоким угловым разрешением путем увеличения расстояний от образца до пленки (мультипликация).

Снимки субструктуры кристалла.

Снимки, иллюстрирующие ориентировку кристалла и его симметрию по разным направлениям.

Модель кристаллической решетки.

Установка кристалла, ориентированного по методу Лауэ, вдоль оси вращения.

Установка цилиндрической кассеты с пленкой.

Схема размещения кристалла в центре кассеты (мультипликация).

Последовательность съемки вращающегося кристалла (мультипликация).

Слоевые линии, полученные на пленке.

Полученная в результате опыта рентгенограмма вращения.

Полученные рентгенограммы вращения, полученные после ориентирования кристалла по трем главным направлениям.

Вывод формулы периода идентичности.

Схема определения размеров ячейки (мультипликация).

Вращающаяся модель решетки монокристалла.

Процесс исследования поликристаллов методом порошка.

Полученный поликристаллический материал.

Схема образования конусов дифрагированных лучей при облучении поликристалла (мультипликация).

Схема определения угла раствора конуса отраженных лучей (мультипликация).

Установка массивного образца поликристалла в специальную камеру для обратной съемки.

Вращение поликристалла в собственной плоскости.

Подготовка образца к съемке в камере, где пленка расположена по окружности.

Схема образования системы конусов с линиями сложной формы под воздействием рассеянных лучей (мультипликация).

Виды полученной дебаеграммы.

Расчет угла отражения и межплоскостного расстояния при помощи дебаеграммы.

Сравнение полученных данных эксперимента со справочными данными для определения фазового состава исследуемого образца.

Лабораторное оборудование для проведения рентгеноструктурного анализа.

Аппаратура для регистрации отраженных рентгеновских лучей.

Установка исследуемого кристалла в рентгеновский дифрактометр.

Процесс исследования образца при помощи рентгеновского дифрактометра.

Проведение исследований с помощью координатного автоматического дифрактометра с автоматической установкой образца в отражающее положение.

Модуль для автоматической дешифровки.

Результаты дешифровки на экране монитора.

Проведение исследований с помощью установки эффекта визуализации Лауэ и дебаеграмм.

Отдельные рефлексы на рентгенограмме, видимые на экране монитора.

Оборудование для исследования сложнейших биологических объектов методами рентгеноструктурного анализа.

Получение рентгенограммы на телеэкране с помощью ЭВМ.

Ученый обсчитывает полученную информацию для определения структуры исследуемого образца.

Панорама оборудования для рентгеноструктурного анализа.

Портрет Рентгена.